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NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
3000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
V DS
Q T
V GS
100
80
2000
1000
C iss
6
4
2
Q gs
Q gd
60
40
20
0
0
C rss
10
C oss
20 30 40 50 60 70 80 90
100
0
0
I D = 42 A
T J = 25 ° C
10 20 30 40 50
0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
10
V DS = 80 V
I D = 42 A
V GS = 10 V
t r
t f
t d(off)
t d(on)
40
30
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1000
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
10 m s
200
150
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 56 A
10
100 m s
100
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
dc
50
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
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